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石墨烯过渡层对金属/SiC接触肖特基势垒调控的第一性原理研究 SiC 石墨烯肖特基势垒第一性原理计算 2022/3/31

由于SiC禁带宽度大，在金属/SiC接触界面难以形成较低的势垒，制备良好的欧姆接触是目前SiC器件研制中的关键技术难题，因此，研究如何降低金属/SiC接触界面的肖特基势垒高度（SBH）非常重要。本文基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法，结合平均静电势和局域态密度计算方法，研究了石墨烯作为过渡层对不同金属（Ag，Ti，Cu，Pd，Ni，Pt）/SiC接触的SBH的影响。计算结果表明，单层石墨烯...