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搜索结果: 1-9 共查到工学 TCR相关记录9条 . 查询时间(0.066 秒)
中国科学院合肥物质科学研究院专利:面向大容量冲击负荷的TCR型SVC动态响应性能试验方法
In this paper, prototypes of two shunt flexible AC transmission system (FACTS) devices, a thyristor switched reactor (TSR)-based static VAr compensator (SVC) and a thyristor controlled reactor (TCR)-b...
TCR型SVC装置由晶闸管阀组、控制系统、水冷系统、相控电抗器及各种附件组成。1、SVC阀组:A.采用卧式结构,多层布置形式,框架采用氧化或喷塑工艺的角铝制成;B.高压晶闸管阀采用国外ABB等半导体公司的晶闸管串联连接,能承受SVC装置的最大过流/过压水平和较高的dv/dt,di/dt水平,并配合电抗器实现良好的动态响应。C.高电位板实现高电位取能、触发及BOD保护等功能。2、控制系统:A.采用分...
提出一种模拟晶闸管控制电抗器(thyristor controlled reactor, TCR)谐波产生特性的新模型。该模型把TCR的时域非线性特性变换成一个频域线性导纳矩阵。该矩阵把TCR的谐波电压、电流耦合在一起,没有任何近似,且该矩阵是一个常量,不随系统谐波参数变化。所提出的模型为电力系统谐波潮流的计算开辟了一个新思路,通过计算机仿真的波形对比验证了模型的精确性。
可控串联电容器(TCSC)装置的晶闸管控制支路电抗器(TCR)品质因数只能是有限值,该文通过时域数字仿真分析 了这一参数对 TCSC 稳态阻抗特性的影响。仿真分析结果表明在电抗器品质因数有限的情况下,TCSC 等效阻抗特性的 谐振点相对理想情况会出现偏移;同时,在容性运行区间,对于同样的触发角指令,Q 值越小,TCSC 的等效基频电抗 也越小,而在感性运行区间,情况则刚好相反。这种影响在 感性和容...
损耗分析是研究含晶闸管非线性器件系统的重要手 段。文中针对联合试验装置TCR 阀高电压试验方式,从其 拓扑结构和工作原理入手,结合该试验方式中各损耗的分类 定义和损耗分析结果,提出了一种基于损耗分析的数学模 型,并利用Matlab 软件定性分析了数学模型的特性,最后 通过与EMTDC软件仿真结果的对比分析,验证了数学模型 的正确性和全面性。该文结论对含晶闸管非线性器件大容量 系统的分...
Thick film resistors were prepared with different variables, they included various conductive particle sizes, glass particle sizes, glass softening temperatures, thermal expansion coefficients of the ...
Any theory of electrical conduction in TFRs encounters mainly two problems: (i) explanation of the dependence of R□ on properties of conducting component (volume fraction, grain size, resistivity), (i...
Measurements have been made of resistivity as a function of temperature in the range 290 to 600°K for vacuum deposited NiCr thin films subjected to different heat treatments in air. While the films p...

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