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第十三届全国金属有机化学气相淀积( MOCVD )学术会议
第十三届 全国金属有机化学气相淀积 学术会议
2013/11/1
金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了飞速进步，目前已经在氮化物、砷化物、磷化物、碲化物和氧化物等重要半导体材料及其量子结构的制备上得到广泛应用，极大地推动了光电子器件和电子器件的发展和产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。
第十一届全国MOCVD学术会议在苏州隆重召开
第十一届 MOCVD 苏州
2010/1/25
2010年1月13-14日，由中国有色金属学会主办，中国科学院半导体研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟、苏州市吴中区人民政府和苏州吴中经济开发区联合承办的第十一届全国MOCVD学术会议在苏州隆重召开。来自高等院校、科研机构、相关企业等150余家单位的350余位代表出席了本次会议，其中13家企业在会议举办期间做了现场展示。
于2010年1月13日-14日由中国有色金属学会主办的第十一届全国MOCVD学术会议将在苏州举行,会议宗旨,交流金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术领域研发的新理论、新进展，及其在材料应用领域的新动态、新成果；探讨目前存在的问题和今后的主要发展方向；进一步加快我国MOCVD技术创新及该技术的推广应用。
第十一届全国MOCVD学术会议由中国有色金属学主办于2010年1月12日-15日在苏州举办,会议旨在展示我国在金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术领域研发的新理论、新进展，及其在材料应用领域的新动态、新成果，为我国从事MOCVD技术研发以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会，探讨目前存在的问题和以后的主要发展方向，促进与MOCVD相关上中下游产业界的沟通与合作，进一步加快我国M...
1～3μm MOCVD HgCdTe薄膜材料
薄膜材料 红外焦平面列阵成像技术
2008/12/5
该项目开发的薄膜材料是国家863高技术计划308课题"红外焦平面列阵成像技术"专题项目，该成果难度较大，所获得的材料具有面积大、成本低、周期短、结构灵活、可大量生产等一系列优点。该产品可应用于光纤通信、地球资源勘探领域或产业。该成果填补了国内空白，处国内领先地位，在国际上属先进水平。
MOCVD growth, structure and magnetic properties of Fe films grown on GaAs (001) substrates
A. Iron films D. Magnetic properties D. Interface effect D. MOCVD
2011/12/8
Thin iron films have been grown on (001) GaAs substrates by low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) at different temperatures with the pressure of 150 Torr. X-ray diffraction (...
Crystal quality and electrical properties of p-type GaN thin film on Si(111) substrate by metal-organic chemical vapor deposition MOCVD
Mechanical properties p-GaN Strain
2010/2/10
Purpose: In this paper, p-GaN samples have been grown on silicon substrates under various processing conditions. The effects of growth tenperature and thermal annealing on the crystal quality and stra...
GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究
2007/8/20
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征，分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.