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深圳市元视芯智能科技有限公司（以下简称“元视芯”）于2024年9月20日在其深圳总部隆重举行AEC-Q100车规级认证证书颁证仪式，标志着元视芯在汽车电子领域的又一重大突破。此次授证仪式，不仅是对元视芯技术实力的权威认可，更是其车规级CMOS图像传感器（CIS）产品全面迈向车载市场的重要一步。
三星发布三款CMOS图像传感器，巩固移动摄影领域的领导地位
三星 CMOS 图像传感器 移动摄影
2024/10/14
随着智能手机摄影需求的不断提升，三星近日发布了三款新型CMOS图像传感器——ISOCELL GN8、GN9和KD1，进一步巩固了其在移动设备摄影技术领域的领导地位。
本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法，该方法是由被测CMOS图像传感器、CMOS图像传感器测试板、FPGA、PC机、电流电压监测板和电源的测试系统组成，所述方法能够实现评估CMOS图像传感器不同电路模块的单粒子敏感性，从电路层面分析发生闩锁的具体原因；在地面模拟空间环境辐照试验中，在线实时采集不同电路单元电流电压值，同时采集暗场图像；依据发生闩锁时获得的暗场图像和不同电路单...
本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法。该方法所涉及的测试系统是由PC机和CMOS图像传感器测试板组成，其中CMOS图像传感器测试板由图像和数据接口、现场可编程门阵列、CMOS图像传感器和外围电路组成，在PC机中设置有图像成像软件和寄存器读写软件，PC机中图像采集卡通过数据线与CMOS图像传感器测试板中的图像和数据接口相连，现场可编程门阵列将图像数据映射成标准图像格式传递给...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 通道分离 大面阵 彩色CMOS图像传感器 辐照饱和 灰度值评估
2023/12/21
本发明涉及一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法，该方法涉及装置是静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、大面阵彩色CMOS图像传感器样品、直流电源和计算机组成，首先打开积分球光源，并关闭测试室中其他照明光源，然后设置积分球光源为固定光强，由小至大调整积分时间，使输出图像由黑至最亮，根据坐标将图像传感器不同像素单元的相应数据归类放入R、GB、GR或B通...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 通道分离 大面阵 彩色CMOS图像传感器 辐照后暗电流
2023/12/13
本发明涉及一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、三维样品调整台、样品测试板、大面阵彩色CMOS图像传感器样品、直流电源和计算机组成，在暗场条件下，选定积分时间，利用经过辐照后的图像传感器获取暗场图像并保存，根据坐标将图像传感器不同像素单元的相应数据归类放入R、GB、GR或B通道的灰度值矩阵中，再改变积分时间，最后画出暗场下各通道的曲线，...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种不同光强对CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 不同光强 CMOS图像传感器 像素单元 满阱容量 仿真方法
2023/12/7
本发明涉及一种不同光强对CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法，该方法通过在CMOS图像传感器像素单元曝光阶段开始之前，对钳位光电二极管进行复位，设置传输栅栅压为0V，使光电二极管处于积累状态，然后在仿真环境中采用准直光源入射，调用光注入模型，实现光产生过程的模拟，再设置固定光强，采用瞬态模拟，提取钳位光电二极管中的光生载流子数目随积分时间的变化曲线，获得满阱容量，最后改变光强，重复提取...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种不同光强对辐照后CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 不同光强 CMOS图像传感器 像素单元 满阱容量 仿真方法
2023/12/7
本发明涉及一种不同光强对辐照后CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法，该方法确定氧化物陷阱电荷、类施主型界面态和类受主型界面态作为TCAD软件中电离效应模型的输入参数，通过实验获得γ射线辐照后的暗电流曲线，在对氧化物陷阱电荷、类施主型界面态和类受主型界面态进行电学校准，获得三种缺陷与累积剂量之间的比例因子，建立CMOS图像传感器像素单元电离辐射效应模型，再在CMOS图像传感器像素单元曝光...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种CMOS图像传感器像素单元多次脉冲读取电荷传输效率仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 CMOS图像传感器 像素单元 多次脉冲 电荷传输 效率仿真
2023/12/7
本发明涉及一种CMOS图像传感器像素单元多次脉冲读取电荷传输效率的仿真方法，该方法通过在CMOS图像传感器像素单元曝光阶段开始之前，对钳位光电二极管进行复位，设置传输栅栅压为0V，使光电二极管处于积累状态，然后在仿真环境中采用准直光源入射，调用光注入模型，实现光产生过程的模拟，提取此时钳位光电二极管中的光生载流子数目N1，将浮置扩散节点设置为高电位并保持，同时在传输栅上设置脉冲电压，提取每一次传输...
中国科学院半导体研究所吴南健研究员、刘力源研究员带领的技术团队长期致力于高速成像芯片研究，并取得一系列重要进展。采用梯度掺杂光电二极管和非均匀掺杂传输管沟道的新型像素结构，有效降低电荷转移路径中的电荷势垒/势阱、电荷反弹效应和光电二极管中电荷残留，减小了拖尾现象。采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列，降低了图像传感器芯片的整体功耗。研制出1000帧每秒高速低功耗CMOS图像传感芯片，发表相关方向学...
为获取高空间分辨率的清晰图像,设计了一种双CMOS成像系统。该系统的两片CMOS传感器可同时获取相同场景的图像,其中一片CMOS传感器获取高帧率、低空间分辨率的图像序列;另一片CMOS传感器获取低帧率、高空间分辨率的运动模糊图像。首先,通过光流法计算高帧率、低空间分辨率CMOS传感器获取图像序列的全局运动路径,在能量守恒和能量与积分时间成正比2个约束条件下估计运动模糊核初始值,通过贝叶斯准则交替迭...
针对无源UHF RFID标签温度测量范围小、功耗等问题，本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器。本文设计采用UMC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺进行设计，提出一种新温度脉冲转换电路结构产生随温度变化的脉冲，从而实现了宽温度测量。仿真结果表明：当温度范围在-75℃~125℃时，温度脉冲宽度变化近220us，标签芯片供电电压为1.5V时，室温时新增的温度传...
面阵CMOS图像传感器性能测试及图像处理
CMOS图像传感器 性能测试 图像处理
2016/9/2
CMOS图像传感器具有驱动简单、单电源供电、集成度高、功耗低、抗辐射能力强等优点。但是在航天光学遥感领域，CMOS图像传感器应用还不普遍。在该领域亟需大规模、高读出速度、大动态范围的图像传感器，CMOS图像传感器LUPA4000正是这样一款高性能面阵图像传感器，因此，选择LUPA4000作为研究对象，对其缺陷像元、光响应非均匀性、信噪比等性能指标进行测试。测试结果表明存在缺陷像元数量多、光响应非均...
CCD与CMOS图像传感器辐射效应测试系统
CCD CMOS APS 辐射性能 抗辐射性能
2014/3/6
研制了中荷耦合器件（CCD）与互补金属氧化物半导体有源像素图像传感器（CMOS APS）辐射效应测试系统,用于研究CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应并准确评估器件的空间辐射环境适应性。该系统采用光机电一体化结构设计，包括光电响应性能检测、光谱检测、控制及数据处理3个分系统，可对器件的光电响应性能、光谱特性进行全面的定量测试与分析。系统的光谱分辨率为1 nm，工作波段为0.38~1.1 μ...