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中国科学院微电子所28nm 嵌入式RRAM IP赋能先进显示芯片在京量产
电子 半导体 集成电路
2024/11/7
当前，Flash遇到制程微缩瓶颈，大规模量产停滞在40nm。微电子所刘明院士团队推出创新突破性的28nm嵌入式RRAM IP，成功应用于全球首款28nm先进显示芯片并实现量产。
2024年11月6日，北京经济技术开发区（北京亦庄）显示高技术企业宣布全球首款应用28nm RRAM IP 的28nm先进工艺SoC高端显示芯片在京完成量产，并成功应用于国内头部客户的Mini LED（次毫米发光二极管）...
台湾台积电（TSMC）在IEDM 2008上，发布了28nm级工艺技术。该公司首次采用了high-k及金属栅极（HKMG）技术，“28nm级工艺技术的开发正在面向量产顺利推进之中”。至此，大型半导体制造厂商在将HKMG作为新一代技术的问题上实现了步调一致。
ARM和IBM将合作开发32nm和28nm工艺SoC
合作开发 工艺
2011/11/4
据日经BP社报道，英国ARM于2008年10月21日在东京举行新闻发布会，与美国IBM等共同介绍了32nm、28nm工艺SoC（系统芯片）设计平台的合作开发详细内容。共同开发的具体内容是：两公司将面向IBM、新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor Manufacturing）和韩国三星电子采用的Bulk CMOS通用制造平台“Common Platform”，共同开发对于...
台积电28nm工艺仍将采用液浸ArF曝光，EUV将用于22nm以下工艺
台积电 工艺 曝光技术
2011/11/4
据日经BP报报道，台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始量产的28nm工艺仍将采用193nm波长的液浸ArF曝光技术。而在接下来的22nm工艺中，将讨论使用以下三个候选方案。（1）193nm波...