搜索结果: 1-15 共查到“物理学 Am”相关记录15条 . 查询时间(0.078 秒)
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苏州纳米所张珽团队AM:基于丝素蛋白调控纳米通道的柔性水伏离子传感(图)
张珽 蛋白调控 纳米 离子传感
2024/1/17
从环境监测到人体汗液电解质分析都迫切地需求高灵敏、宽检测范围的高性能离子传感器。传统固体接触离子选择电极(SC-ISE)的电极膜电位与待测离子含量之间的关系符合能斯特公式,往往存在灵敏度较低的限制。寻求新机制来实现高性能离子传感具有重要意义。蒸发驱动的水伏效应是近些年兴起的新领域,它是利用水的蒸发驱动溶液流经过具有交叠双电层的功能化纳米通道,在固-液界面相互作用下产生与溶液离子浓度相关联的电压和电...
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近日,西湖大学人工光合作用与太阳能燃料中心杨汶醒团队在《J. Am. Chem. Soc.》发表了题为《Steering the Dynamics of Reaction Intermediates and Catalyst Surface during Electrochemical Pulsed?CO2?Reduction for Enhanced?C2+?Selectivity》的研究。
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北京师范大学化学学院吴立明与陈玲课题组在J. Am. Chem. Soc.报道宽温度范围连续可调控固态非线性光学开关材料的研究(图)
北京师范大学化学学院 吴立明 陈玲 J. Am. Chem. Soc. 宽温度范围连续 可调控固态 非线性光学 开关材料
2020/3/16
非线性光学开关材料是非线性光学材料的一个重要分支,指的是在某种外界条件(如:光、热、化学环境变化等)变化下,能够在非线性光学 “开”、“关”两种状态间切换的物质。先前的大多数研究主要集中于液态材料,但其易失谐以及不稳定等特点,使得液态开关材料难以获得实际应用。而固态非线性开关材料具备非线性性质优良、性能稳定、易于调控等优势;但是目前具备固态非线性开关特性的材料却还很匮乏,这是因为其不仅要求其结构构...
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近日,郝晓涛教授团队的秦伟教授等人在手性晶体光-磁效应研究方面取得新进展,相关成果以“Magnetic and Electric Control of Circularly Polarized Emission through Tuning Chirality-Generated Orbital Angular Momentum in Organic Helical Polymeric Nanof...
继去年6月和今年4月在美国化学会的《Journal of the American Chemistry Society》杂志以通讯作者发表论文之后,我校化学学院的刘培念副教授第三次在该杂志最新的一期中发表论文“Structural Transformation of Two-Dimensional Metal–Organic Coordination Networks Driven by Intr...
Am-Be中子源辐射场周围剂量当量与吸收剂量的计算
Am-Be中子源辐 比释动能系数
2009/8/25
根据最近更新的微观中子核反应截面数据(ENDF/B-Ⅶ库)计算了热中子到20MeV中子能区,H、C、N、O、Ar5种元素以及干燥空气和ICRU四元素组织的中子比释动能系数(kerma因子)。在此基础上,结合MCNP程序对Am-Be源外中子能谱的模拟,计算了Am-Be源中子场的周围剂量当量,单位中子注量下为373.0pSv•cm2。利用本实验室计算国产Am-Be源的中子能谱,算得相应中...
在中子剂量仪表刻度和中子剂量计算中经常遇到单位注量中子与比释动能、吸收剂量、剂量当量之间的换算关系。它们之间的数值关系通常称为中子注量-剂量换算系数。在《放射防护规定》中规定职业放射性工作人员最大容许剂量当量为每年5雷姆。同时又对2.5毫雷姆/小时对应的中子通量(中子/厘米~2·秒)进行了规定(见附表1第7栏)。国际辐射防
本文用三组减速模型计算了Am-Be中子源在石蜡慢化体内的中子通量密度和镉比分布。
本工作涉及准确测量国产Am-Be中子源发射的4.438MeVγ射线与中子强度比值R=Sγ/Sn的实验方法。中子源的中子发射率用锰浴法进行比对测量。用Φ75mm×75mmNaI(Tl)探测器测量中子源的γ能谱;用MCNP程序模拟计算中子引起的γ本底和探头的源峰探测效率。实验与理论计算得到的R值符合得很好。综合评价已发表的R实验值,给出了R推荐值为0.575(1±4.8%)。结果表明,R值可认为是A...
国产Am-Be中子源能量低于1.5MeV中子所占份额的实验测定
中子源能量 中子能谱 飞行时间法
2009/1/4
本工作提出了测定AmBe中子源发射的能量低于1.5MeV中子所占份额的1种实用实验方法。用4.438MeVγ射线伴随的飞行时间法测量了中子源的局部中子谱(n1群中子)。通过已准确测量的中子源发射4.438MeVγ射线与中子强度的比值(R=Rγ/Sn)和n1群中子谱与测量的能量为1.5MeV以上中子总谱在3.2MeV能量处归一后的面积比值,求得国产Am-Be中子源能量低于1.5MeV中子的所占...
Am-α-Be中子源能谱
中子源能谱 Am-α-Be
2008/12/12
由于~9Be(α,n)~(12)C反应对于α粒子发射体给出最高的中子产额,所以通常都用铍制造放射性中子源。制造中子源的重要问题是选择适当的α发射体。过去,~(210)Po,~(239)Pu和~(226)Ra是常用的α发射体。然而~(226)Ra有很强的γ放射性,保存和使用都不方便;~(210)Po虽
α能谱法测定Pu材料中~(241)Am/Puα活度比
材料 α能谱法
2008/12/12
文章介绍用α能谱法测定Pu材料中(241)Am/Puα活度比的原理、方法及结果。该测定结果与用NaI(TI)γ能谱法测定的结果相一致。
γ伴随飞行时间法对Am-Be中子源的局部中子能谱的测量
能谱 Am-Be中子源
2008/12/12
一、前言 Am-Be中子源能谱的研究,已有不少实验室采用不同的方法进行了测量。但迄今为止,在能谱的细致结构和小于2MeV的低能部分,仍存在着差异。甚至用同一方法所测量
锰浴法测中子源强度的修正项及~(241)Am(α,n)Be中子源能谱的计算
锰浴法
2008/12/11
本工作计算了~(241)Am(a,n)Be中子源的初始谱和修正谱。还计算了快中子由于~(16)O(n,a),~(16)O(n,p),~(32)(n,a),~(32)S(n,p)反应的损失份额,中子逃脱出浴池的份额及源的自吸收份额。