搜索结果: 1-15 共查到“材料科学 Ga”相关记录29条 . 查询时间(0.156 秒)
采用区域熔炼液态金属冷却定向凝固法制备具有择优取向的 Ni52Fe17Ga27Co4磁性形状记忆合金,借助OM, SEM和EBSD研究了稳定生长区的组织特征和择优取向. 结果表明, 在低温度梯度和高凝固速率下, 晶体沿<100>方向生长, 但生长不稳定, 存在初生γ相; 当提高温度梯度和降低凝固速率后, 晶体沿<110>方向生长, 柱状晶大小均匀, 无γ相, 室温时为沿 (222) 面取向的马氏体...
在不使用引发剂和还原剂条件下, 用超声辐射工艺双原位合成了纳米钯镓/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合物。XRD和UV--Vis显示, 超声还原生成的单质钯和超声粉碎的单质镓在PMMA基体中不是简单的物理分散, 而是在生成钯镓合金Ga$_{5}$Pd/PMMA复合物的同时既有纳米钯又有纳米镓与PMMA形成复合物; XPS表明, 镓失去了部分外层电子, 一部分流向钯生成合金Ga5Pd; 一部分与聚合物...
Present status of amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors
Present status amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors
2010/10/12
The present status and recent research results on amorphous oxide semiconductors (AOSs) and their thin-film transistors (TFTs) are reviewed. AOSs represented by amorphous In–Ga–Zn–O (a-IGZO) are expec...
采用恒电流试验评价了不同Ga含量的Al-Ga二元合金牺牲阳极的电化学性能，并通过X射线衍射、扫描电镜及能谱分析、回沉积等实验探讨了阳极的活化溶解机制。结果表明，采用高纯铝锭炼制的Al-0.07%Ga 二元合金工作电位在-0.820 V~-0.876 V（vs.Ag/AgCl海水）之间，而用工业铝锭Al99.85炼制的Al-0.1%Ga二元合金阳极工作电位在 -0.802 V~-0.818 V之间，...
采用透射电镜、扫描电镜、能谱分析、Tafel曲线、计时-电位法（E-T曲线）和析氢测量等现代分析测试方法研究了不同轧制温度的Al-Mg-Sn-Bi-Ga-In铝合金阳极的显微组织变化及其在80℃，添加Na2SnO3缓蚀剂的5 mol/L NaOH电解液中的电化学性能和耐腐蚀性能。结果表明：当控制道次变形量为40%时，随着轧制温度的升高，铝合金阳极的显微组织经历了从位错胞状组织、亚晶组织到动态再结晶...
Ga掺杂ZnO纳米粉体的合成及其光、电学性能研究
Ga掺杂ZnO 纳米粉体 光致发光
2009/11/18
利用简单的溶剂热法，在具有不同镓浓度的锌前驱体溶液中得到了Ga掺杂ZnO纳米粉体.采用X射线光电子能谱仪（XPS）、 X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、荧光光谱仪（PL）及霍尔效应测试(HES)等研究手段分别对样品的成分、形貌及光、电性能进行了研究．分析了前驱体溶液中镓浓度对产物光、电学性能的影响.
气体雾化制备Fe-Ga合金粉末的微结构及磁致伸缩性能
Fe-Ga合金 气体雾化 粉末黏结
2009/10/15
为改善Fe--Ga合金的高频特性, 采用黏结工艺制备Fe-Ga磁致伸缩复合材料. 探索采用气体雾化法制备Fe81Ga19合金粉末, 利用EDS, SEM, XRD和DTA研究粉末颗粒的基本特性. 结果表明, 雾化粉末颗粒球形度好, 成分与目标成分接近, 大部分颗粒内部为多晶体, 颗粒以A2相为主, 且含有少量DO3相; 经800 ℃热处理后, 颗粒中有大量L12相析出, 保温8 h, 炉冷样品含有...
由形核过冷度研究Ga熔体原子团尺寸变化的滞后性
Ga 熔体 形核过冷度
2009/10/15
DSC测试表明, Ga的形核过冷度随其熔体高温保温时间的延长而增大, 随熔体降温后保温时间的延长而减小, 表现出明显的滞后性. 通过对熔体温度与熔体中原子团尺寸之间关系的热力学和动力学研究, 得到了金属熔体原子团中的原子数随温度变化的关系式, 获得了确定熔体温度变化后其形核温度变化滞后幅度的方法, 确定的Ga的形核温度变化滞后幅度与实验结果相吻合, 其误差只有3.9%-4.8%.
Thermal Arrest Memory Effect in Ni-Mn-Ga Alloys
Thermal Arrest Memory Effect Ni-Mn-Ga Alloys
2009/9/2
Dilatation characteristics were measured to investigate the thermal arrest memory effect in Ni53.6Mn27.1Ga19.3 and Ni54.2Mn29.4Ga16.4 alloys. Interruption of the martensite-austenite phase transformat...
借助光学金相、示差热分析、振动样品磁强计和X-射线能谱分析等分析方法,研究Ga含量对Co41Ni32-Al27-xGax合金马氏体相变和Curie点的影响。研究结果表明:合金马氏体相变温度与Ga含量成正比,在1 573和1 623 K淬火时,x增加1,马氏体相变温度提高25 K,但Ga含量对Curie点影响不大;在1 573 K淬火时,具有高有序度的马氏体相比B2结构相的Curie点高32 K,说...
Ge-Ga-S-CdS玻璃的电致二次谐波发生特性
Ge-Ga-S-CdS玻璃 电致二次谐波 特性
2009/3/12
用熔融-急冷法制备了Ge14Ga3S37(CdS)3硫系玻璃样品,使用Maker条纹法观察了电场-温度场极化样品中的二次谐波发生(SHG)现象,研究了极化条件对SHG强度的影响、该效应产生的机理以及SHG现象室温下的稳定性.结果表明,极化样品中存在明显的二次谐波发生现象,入射角在±(40～50)°左右时,SHG的相对强度出现最大值;SHG的强度随着极化电压的增大和极化时间的延长而逐渐增强并渐趋饱和...
采用析氢测量法、计时-电位法(E-T曲线)、Tafel曲线、扫描电镜和能谱分析等分析测试方法研究不同轧制工艺的Al-Mg-Sn-Bi-Ga-In铝合金阳极在80 ℃、在浓度为5 mol/L NaOH电解液中添加缓蚀剂Na2SnO3的电化学性能和耐腐蚀性能。研究结果表明：按道次变形量40%进行轧制时，随着轧制温度的升高，开路电位负移，而活性和耐腐蚀性能先提高后降低；在370 ℃进行轧制时，随着道次变...
Al-Ga-Mg合金组织与阳极性能研究
铝合金 微观组织 固溶处理
2009/2/5
在25℃、4mol/LKOH溶液中，测定了固溶及未固溶的Al-0.05Ga-1Mg和Al-0.1Ga-1Mg合金的开路电位、工作电位、自腐蚀速率及阳极效率，电子探针（EPMA）分析了铝阳极的基体及偏析相。结果表明：随着Ga含量的增加，开路电位变负；铝合金的偏析相中主要含Fe、Si两种元素； Mg元素能较显著降低Al-Ga合金的自腐蚀；固溶处理增多了铝合金阳极的阴极相，阴极相的增加及脱落，增大了自腐...
邻胺基苯酚在Al-Ga-Sn-Mg/KOH环境中的抑氢作用
铝合金阳极 邻胺基苯酚 抑氢作用
2009/2/1
通过恒电流集气、稳态极化曲线、交流阻抗等电化学方法探讨了邻胺基苯酚在4mol/LKOH溶液中对Al-0.2Ga-0.1Sn-1Mg的自腐蚀抑氢作用，分析了其作用机理。结果表明：铝合金在强碱性介质中的自腐蚀析氢呈现出典型的正差异效应，自腐蚀严重。由于苯环、胺基、羟基等基团的存在使得邻胺基苯酚易在金属的表面吸附，减少了OH－与金属表面接触的机会，析氢量降低，自腐蚀程度减轻，但铝阳极的活性没有降低，正差...