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用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计
2007/7/28
专著信息
书名
用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计
语种
中文
撰写或编译
作者
蒲红斌,陈治明,李留臣,封先锋,张群社,沃立明
第一作者单位
出版社
《人工晶体学报》,Vol.33(5),pp.712-716 (2004)
出版地
出版日期
2004年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
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