搜索结果: 1-7 共查到“激光及激光器技术 CMOS”相关记录7条 . 查询时间(0.171 秒)
为了研究激光对CMOS图像传感器的干扰效果,利用632.8 nm连续激光开展了对CMOS相机的饱和干扰实验。随着入射激光功率的增加,分别观察到未饱和、饱和、全屏饱和等现象,并发现,在全屏饱和前,功率密度达到1.4 W/cm2后,光斑强区中心区域出现了像素翻转效应。进一步加大光敏面激光功率密度到95.1 W/cm2,激光作用停止后相机仍能正常成像,证明像素翻转效应并非源自硬损伤。基于CMOS相机芯片...
A 33mW 100Gbps CMOS Silicon Photonic WDM Transmitter Using Off-Chip Laser Sources
A 33 mW 100 Gbps CMOS Silicon Photonic WDM Transmitter On-Chip Laser Sources
2014/11/6
We report an ultra-low power 100Gbps silicon photonic WDM transmitter tunable with off-chip laser sources. The hybrid CMOS transmitter consists of eight 12.6Gbps WDM channels and consumes a total on-c...
An integrated tunable C band laser fabricated in a commercial CMOS foundry is discussed. The laser is embedded in the silicon chip, and is hermetically sealed. Preliminary optical characterization res...
155M～1.25Gbps CMOS激光驱动器（芯片）
激光驱动器 CMOS工艺 光纤通信激光器
2008/11/3
UX2210由激光偏置电路、调制电路、自动功率控制（APC）、调制电流温度补偿等部分组成，可兼容3.3V/5V电源电压。该芯片提供了一个CMOS电平的激光失效指示，以及一个用于保护激光器的可编程慢启动电路。慢启动电路内部预设50ns启动时间，可以通过外接电容来延长这个时间。通过外部电阻的调节，UX2210的调制电流可达60mA，偏置电流可达80mA，上升下降时间小于250ps。其采用小型化封装——...
0.18um CMOS工艺10Gb/s激光驱动器
0.18um CMOS工艺 激光驱动器 光发射机
2008/10/17
该成果利用0.18um CMOS工艺实现用于速率为10Gb/s光发射机的激光驱动器，实现从高速电信号向高速光信号的转变，可以作为单片电路独立使用，也可与复接器集成，形成单片的光纤通信发射机芯片。该成果在世界范围内达到了先进水平，表明我国在高速、超高速集成电路设计方面拥有自主设计开发能力，具有广阔的市场前景。该设计技术对于实现宽带高增益，高驱动能力放大器具有借鉴意义。
0.35um CMOS工艺2.5Gb/s激光驱动器
0.35um CMOS工艺 激光驱动器 光发射
2008/10/17
该电路实现从高速电信号向高速光信号的转变，可以作为单片电路独立使用，也可与复接器集成，形成单片的光纤通信发射机芯片。该成果在世界范围内达到了先进水平，可以被广泛应用于光纤用户网系统中。同时，该成果将为光纤通信用高速集成电路核心芯片的知识产权自主化化和产业化起到积极的推动作用。该产品作为我国光纤传输主干网的国产核心芯片，具有广阔的市场前景。该设计技术对于实现宽带高增益，高驱动能力放大器具有借鉴意义。
155M～1.25Gbps CMOS激光驱动器（芯片）
激光驱动器 CMOS工艺 光纤通信激光器
2008/10/17
UX2210由激光偏置电路、调制电路、自动功率控制（APC）、调制电流温度补偿等部分组成，可兼容3.3V/5V电源电压。该芯片提供了一个CMOS电平的激光失效指示，以及一个用于保护激光器的可编程慢启动电路。慢启动电路内部预设50ns启动时间，可以通过外接电容来延长这个时间。通过外部电阻的调节，UX2210的调制电流可达60mA，偏置电流可达80mA，上升下降时间小于250ps。其采用小型化封装——...