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上海微系统所阐明砷在双向阈值开关中的作用机制(图)
毒性元素 半导体 材料砷化镓
2023/12/3
砷(As)是一种高毒性元素,但长期以来一直被广泛用于半导体制造: 通过将砷注入硅衬底制造N型半导体; 同时,砷也是第二代半导体的标志性材料砷化镓的主要成分。此外,砷在相变存储器(PCM)的发现、开发和最终商业化过程有着不可或缺的作用,而相变存储器是一种新兴的存储器技术、,可填补现代计算机中闪存和内存之间的巨大性能鸿沟。早在 1964 年,Northover 和 Pearson 就在砷基铬化物(即 ...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员丁古巧课题组与深圳大学电子科学与技术学院副教授韩素婷、深圳大学高等研究院研究员周晔合作,利用新型碳基二维半导体材料C3N实现了可调突触行为的人工突触模拟忆阻器。该器件可以实现电阻值随着连续的电压扫描而逐渐变化的典型的忆阻行为。近常压X射线光电子能谱证实C3N薄膜中的质子传导过程实现了器件的忆阻特性。C3N中大量的晶格N原子使其成为高质量的质子接受材料。与此...
中国科学院上海微系统与信息技术所研究员丁古巧课题组独立发现新型碳基二维半导体材料C3N,相关研究成果日前在线发表于《先进材料》。近年来以石墨烯为代表的二维新材料广受关注,尝试使用二维半导体材料替代传统硅材料已成为最重要的科技前沿之一,但由于石墨烯没有本征带隙,且现有打开带隙的技术途径存在不足,石墨烯替代硅显得极为困难,因而探索新型二维半导体材料,特别是碳基材料,依然任重道远。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所铋化物半导体材料研究受到国际关注(图)
微系统 信息技术 铋化物 半导体材料
2014/6/13
铋是元素周期表中最重的非放射性元素,与邻近的其它重金属元素相比,毒性最小,被认为是一种“绿色”元素。铋化物半导体材料包括III-V化合物半导体中掺入少量铋原子形成的稀铋材料、Bi2Te3和Bi2Se3等传统热电材料和新型拓扑绝缘体材料以及以BiFeO3为代表的含铋氧化物材料等,具有很多新奇的物理特性,有望取代Cd、Pb、Sb、Hg等有毒重金属元素,成为信息、能源和医学领域中新一代可持续的半导体功能...
上海微系统与信息技术研究所硅基光子学研究获突破性进展(图)
硅基光子学 离子体激元 高折射率粒子排列 单个粒子
2012/5/10
日前上海微系统所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组在光子学研究方面取得突破性进展,研究结果发表在2011年5月20日出版的Physical Review Letters 上(作者为:杜骏杰、王曦、邹世昌、甘甫烷等),并作为每期Physical Review Letters最亮点的工作之一,被选为Editors’ Suggestion。该工作已经引起国际同行的广泛关注,美国物理学会在physic...
齐鸣研究员,男,1957年11月出生。1982年7月毕业于西安交通大学电子工程系,获工学学士学位;1987年5月和1992年5月先后在该校研究生毕业,分别获工学硕士和博士学位。现任中国科学院上海微系统与信息技术研究所副所长、研究员、博士生导师。长期从事化合物半导体微结构材料的分子束外延生长、物理特性及其器件应用方面的研究工作,在国内外学术刊物和会议上发表论文50余篇,先后获得国家、中科院、陕西省和...